4月16日消息，据国外媒体报道，英特尔和美光周四推出一种新型闪存[ShanCun]存储制造技术，这一技术使电子存储芯片[XinPian]设计更加密集化，有利于缩小产品占领的空间[KongJian]。此款20纳米级的 NAND芯片[XinPian]产品估量可在今年下半年大批生产。

英特尔和美光曾经合作制造的AND快闪存[ShanCun]储芯片[XinPian]很多年，具有长期的合作伙伴关系。NAND闪存[ShanCun]常用于制造智能手机或平板电脑。

先前版本的芯片[XinPian]为25纳米级，英特尔表现升级至20纳米后，不仅可保持同等级运算性能和耐久度，储存空间[KongJian]更是多出50％大小。

美光的NAND市场部总裁凯文基尔伯克宣称：连续缩减NAND的尺寸，确切为市场带来新运用程序空间[KongJian]在现有产品格局下，我们拥有更多空间[KongJian]放入 存储，或能以更低的成本价位，保持同等存储规格。

目前的8G的NAND闪存[ShanCun]芯片[XinPian]采取新款20纳米级技术，可减少约30-40％的体积，也让平板电脑和智能手机制造商节俭空间[KongJian]，可以使用作额外功效改 善，例如加大电池续航力，扩展屏幕，增加芯片[XinPian]来支撑新的功效等等。

英特尔和美光称，他们预计将在今年下半，推出16G的NAND闪存[ShanCun]的新芯片[XinPian]产品。