４月２０日，研究人员[YanJiuRenYuan]在展示我国第一款具有自主知识产权的相变存储器[CunChuQi]（ＰＣＲＡＭ）芯片[XinPian]。我国第一款具有自主知识产权的相变存储器[CunChuQi]（ＰＣＲＡＭ）芯片[XinPian]研制成功，打破了存储器[CunChuQi]芯片[XinPian]生产技术长期被国外垄断的局面，产业化前景可观。据介绍，该款ＰＣＲＡＭ试验芯片[XinPian]存储[CunChu]容量为８Ｍｂ，在８英寸硅片上的每一块存储[CunChu]芯片[XinPian]，存储[CunChu]单元成品率达９９％以上。截至２０１０年底，该款ＰＣＲＡＭ相变存储器[CunChuQi]已经获得５０多项发明专利授权，１５０多项专利公开，相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片[XinPian]生产全部流程。新华社[XinHuaShe]记者[JiZhe] 刘颖 摄

    ４月２０日，在中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究人员[YanJiuRenYuan]在相变存储器[CunChuQi]芯片[XinPian]进行语音功能演示。新华社[XinHuaShe]记者[JiZhe] 刘颖 摄

    ４月２０日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、ＰＣＲＡＭ研究项目负责人宋志棠（左）与研究人员[YanJiuRenYuan]在实验室内工作。新华社[XinHuaShe]记者[JiZhe] 刘颖 摄